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跟着公共电动汽车(EV)市集的速即膨胀,车载充电器(OBC)动作勾搭电动汽车与电网的重要组件,其销售额也在速即增长,2024年第一季度装机量达到了170.12万套,同比增长42.68%。
车载充电器不错平直从电源插座给与电力,为电动汽车提供方便的充电容颜,比拟于车外充电器,OBC因尺寸和资本等截止,对效果和可靠性的条款更高。现在,市集上的OBC大多遴选两级式结构,该结构中的功率治愈效果和可靠性在很猛进度上依赖于所使用的MOSFET性能。
现存车载充电器MOSFET的局限性
在OBC的期骗中,MOSFET的选型至关挫折,因为它们平直决定了充电器的效果、体积和可靠性。现在使用中的MOSFET器件主要濒临的问题包括高导通电阻和寄生电容问题。高导通电阻会导致导通损耗加多,这不仅会影响成立的效果,也会在成立驱动历程中产生罕见的热量,对成立的性能和寿命产生负面影响。关于硬开关期骗(如Boost PFC),寄生电容过高可能会在开关治愈历程中产生过高的应力,这会影响系统的可靠性。淌若处理不妥,这种颤动可能导致系统失稳,从而影响成立的性能和寿命。此外,一般情况下,内阻越低的MOSFET,其寄生电容CGD越大,这关于打算师来说是一个难以均衡的方程,需要在镌汰损耗和提高判辨性之间找到最好点。
延续决议
AK1CK2M040WAM-A MOSFET,可泛泛期骗于车载充电器
面对这些挑战,瑶芯推出的AK1CK2M040WAM-A碳化硅功率MOSFET以其超卓性能提供了有用的延续决议。这款MOSFET在漏源之间最大耐压值可达1200V,足以得志OBC的期骗需求。同期还有着较低的导通电阻,栅-源戒指电压为15V时——导通电阻仅有40mΩ,这显耀镌汰了导通损耗和开关损耗,从而提高了OBC的全体效果。更低的损耗意味着更少的热量产生,进而减少散热需求,使得车载充电器不错打算得愈加紧凑,使居品愈加便携。
图2 动态特质
它的寄生电容CGD为6.5pF,相对较小,在开关历程中,栅极和漏极之间的电荷交换较少,有助于减少米勒平台的捏续时辰,从而加速开关速率。此外,还具有低反向还原电荷(QRR=133nC),这进一步升迁了其在高频期骗中的进展,确保OBC在快速充电历程中的判辨驱动。
从资本效益的角度来看,AK1CK2M040WAM-A不仅提高了OBC的性能,还通过降呆板量损耗和优化系统打算,为电动汽车制造商提供了更具竞争力的延续决议。这款MOSFET的高效果和可靠性,使其成为电动汽车车载充电器打算的理念念遴荐,有助于推进更泛泛的电动汽车期骗和市集经受度。
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